微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2010年
6期
904-907
,共4页
绝缘栅双极型晶体管%抗闩锁%安全工作区
絕緣柵雙極型晶體管%抗閂鎖%安全工作區
절연책쌍겁형정체관%항산쇄%안전공작구
研究了一种新的IGBT发射极元胞,并给出其设计方法.该元胞在不影响单位面积有效沟道宽度的情况下,将源衬底的P+区与源N+区并排垂直于沟道一侧放置,以缩短空穴路径.与采用深P+注入抗闩锁的传统方法相比,经过优化设计的新结构的闩锁电流增大了约8倍;在Vce为1.5 V时,单位面积电流密度增加3倍;元胞静态阻断电压也有20%的增加,从而扩展了IGBT的安全工作区,而且工艺更简单.
研究瞭一種新的IGBT髮射極元胞,併給齣其設計方法.該元胞在不影響單位麵積有效溝道寬度的情況下,將源襯底的P+區與源N+區併排垂直于溝道一側放置,以縮短空穴路徑.與採用深P+註入抗閂鎖的傳統方法相比,經過優化設計的新結構的閂鎖電流增大瞭約8倍;在Vce為1.5 V時,單位麵積電流密度增加3倍;元胞靜態阻斷電壓也有20%的增加,從而擴展瞭IGBT的安全工作區,而且工藝更簡單.
연구료일충신적IGBT발사겁원포,병급출기설계방법.해원포재불영향단위면적유효구도관도적정황하,장원츤저적P+구여원N+구병배수직우구도일측방치,이축단공혈로경.여채용심P+주입항산쇄적전통방법상비,경과우화설계적신결구적산쇄전류증대료약8배;재Vce위1.5 V시,단위면적전류밀도증가3배;원포정태조단전압야유20%적증가,종이확전료IGBT적안전공작구,이차공예경간단.
