固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
1期
27-29,41
,共4页
绝缘层上硅%金属-氧化物-半导体%阈值电压%解析模型%分析
絕緣層上硅%金屬-氧化物-半導體%閾值電壓%解析模型%分析
절연층상규%금속-양화물-반도체%역치전압%해석모형%분석
研究了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件阈值电压的解析模型,并采用计算机模拟,得出了硅膜掺杂浓度和厚度、正栅和背栅二氧化硅层厚度及温度对阈值电压影响的三维分布曲线,所得到的模拟结果和理论研究结果相吻合.
研究瞭薄膜全耗儘增彊型SOI MOS器件閾值電壓的解析模型,併採用計算機模擬,得齣瞭硅膜摻雜濃度和厚度、正柵和揹柵二氧化硅層厚度及溫度對閾值電壓影響的三維分佈麯線,所得到的模擬結果和理論研究結果相吻閤.
연구료박막전모진증강형SOI MOS기건역치전압적해석모형,병채용계산궤모의,득출료규막참잡농도화후도、정책화배책이양화규층후도급온도대역치전압영향적삼유분포곡선,소득도적모의결과화이론연구결과상문합.
