人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2010年
4期
1055-1059
,共5页
SiC单晶片%ELID磨削%氧化膜%占空比%电解电压
SiC單晶片%ELID磨削%氧化膜%佔空比%電解電壓
SiC단정편%ELID마삭%양화막%점공비%전해전압
SiC单晶片的材质既硬且脆,加工难度很大,通过ELID磨削技术超精密加工SiC单晶片是一种高效的加工方法,而氧化膜的特性是ELID磨削技术的关键.本文研究了ELID磨削中氧化膜的形成规律,基于电化学基本原理,建立了砂轮表面氧化膜形成过程的一般模型,并对电压、占空比等工艺参数对金属结合剂砂轮表面氧化膜形成特性的影响进行了研究.结果表明:氧化膜厚度和生长率随着电压和占空比的增加而增加,随后逐渐降低并趋于稳定.根据SiC单晶片硬脆性质,在超精密加工SiC单晶片时,开始阶段采用较高电压(120 V)和较高占空比(2/3),在稳定阶段采用较低电压(90 V)和较低占空比(1/4).
SiC單晶片的材質既硬且脆,加工難度很大,通過ELID磨削技術超精密加工SiC單晶片是一種高效的加工方法,而氧化膜的特性是ELID磨削技術的關鍵.本文研究瞭ELID磨削中氧化膜的形成規律,基于電化學基本原理,建立瞭砂輪錶麵氧化膜形成過程的一般模型,併對電壓、佔空比等工藝參數對金屬結閤劑砂輪錶麵氧化膜形成特性的影響進行瞭研究.結果錶明:氧化膜厚度和生長率隨著電壓和佔空比的增加而增加,隨後逐漸降低併趨于穩定.根據SiC單晶片硬脆性質,在超精密加工SiC單晶片時,開始階段採用較高電壓(120 V)和較高佔空比(2/3),在穩定階段採用較低電壓(90 V)和較低佔空比(1/4).
SiC단정편적재질기경차취,가공난도흔대,통과ELID마삭기술초정밀가공SiC단정편시일충고효적가공방법,이양화막적특성시ELID마삭기술적관건.본문연구료ELID마삭중양화막적형성규률,기우전화학기본원리,건립료사륜표면양화막형성과정적일반모형,병대전압、점공비등공예삼수대금속결합제사륜표면양화막형성특성적영향진행료연구.결과표명:양화막후도화생장솔수착전압화점공비적증가이증가,수후축점강저병추우은정.근거SiC단정편경취성질,재초정밀가공SiC단정편시,개시계단채용교고전압(120 V)화교고점공비(2/3),재은정계단채용교저전압(90 V)화교저점공비(1/4).
