CAJ | 학술논문

报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%):HNO3(65%):CH3COOH(99.5%):H2O:I2=2 mL:2 mL:1 mL:1 mL:4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2.从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析.
보도료일충신적ZnGeP2정체택우부식제급기부식공예,즉선채용연마、물리궤계포광화HCl+HNO3열화학포광획득표면평정무화흔적ZnGeP2정편,연후장정편재실온하채용HF(40%):HNO3(65%):CH3COOH(99.5%):H2O:I2=2 mL:2 mL:1 mL:1 mL:4 mg부식제초성진탕부식8 min;재소묘전경하관찰도ZGP(110)화(204)정면적부식갱,식갱형모청석,구유입체감,(110)정면식갱정사변형,(204)정면식갱정오변형,취향일치,식갱밀도(EPD)약위104/cm2.종이론상대식갱형모적형성궤리진행료분석.