真空与低温
真空與低溫
진공여저온
VACUUM AND CRYOGENICS
2009年
4期
233-237
,共5页
王宝林%李朝木%曾正清%李峰
王寶林%李朝木%曾正清%李峰
왕보림%리조목%증정청%리봉
GaN材料%掺杂浓度%光致发光%退火温度
GaN材料%摻雜濃度%光緻髮光%退火溫度
GaN재료%참잡농도%광치발광%퇴화온도
采用低压金属有机化学气相沉积法在蓝宝石(0001)衬底上生长2～5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN层(0＜x≤0.4),在AlxGa1-x层中的Al浓度为0.2＜x＜0.7.优化了影响P型GaN性质的生长参数:Mg流量、生长温度和Ⅴ/Ⅲ比.过量的Mg源流量、过高的生长温度、过大的Ⅴ/Ⅲ比都会降低自由空穴浓度;研究了退火温度对P型GaN空穴浓度和光致发光的影响,获得了最佳退火温度为680～750℃的范围.
採用低壓金屬有機化學氣相沉積法在藍寶石(0001)襯底上生長2～5μm厚度的P-AlxGa1-xN/GaN層(0＜x≤0.4),在AlxGa1-x層中的Al濃度為0.2＜x＜0.7.優化瞭影響P型GaN性質的生長參數:Mg流量、生長溫度和Ⅴ/Ⅲ比.過量的Mg源流量、過高的生長溫度、過大的Ⅴ/Ⅲ比都會降低自由空穴濃度;研究瞭退火溫度對P型GaN空穴濃度和光緻髮光的影響,穫得瞭最佳退火溫度為680～750℃的範圍.
채용저압금속유궤화학기상침적법재람보석(0001)츤저상생장2～5μm후도적P-AlxGa1-xN/GaN층(0＜x≤0.4),재AlxGa1-x층중적Al농도위0.2＜x＜0.7.우화료영향P형GaN성질적생장삼수:Mg류량、생장온도화Ⅴ/Ⅲ비.과량적Mg원류량、과고적생장온도、과대적Ⅴ/Ⅲ비도회강저자유공혈농도;연구료퇴화온도대P형GaN공혈농도화광치발광적영향,획득료최가퇴화온도위680～750℃적범위.
