半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
2期
129-132
,共4页
4H-碳化硅%射频功率金属半导体场效应晶体管%Ⅰ-Ⅴ特性%解析模型
4H-碳化硅%射頻功率金屬半導體場效應晶體管%Ⅰ-Ⅴ特性%解析模型
4H-탄화규%사빈공솔금속반도체장효응정체관%Ⅰ-Ⅴ특성%해석모형
提出了一种改进的4H-SiC MESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系.在分析了电流速度饱和的基础上,考虑沟道长度调制效应对饱和区漏电流的影响,建立了基于物理的沟道长度调制效应模型,模拟结果符合高场下漏极的MC(蒙特卡罗)计算的结果.与以前的研究模型相比较,结果说明了该研究的有效性,饱和电流的结果与实测的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻合.
提齣瞭一種改進的4H-SiC MESFET非線性直流解析模型,基于柵下電荷的二維分佈,對該模型進行瞭分析,採用多參數遷移率模型描述速場關繫.在分析瞭電流速度飽和的基礎上,攷慮溝道長度調製效應對飽和區漏電流的影響,建立瞭基于物理的溝道長度調製效應模型,模擬結果符閤高場下漏極的MC(矇特卡囉)計算的結果.與以前的研究模型相比較,結果說明瞭該研究的有效性,飽和電流的結果與實測的Ⅰ-Ⅴ特性更加吻閤.
제출료일충개진적4H-SiC MESFET비선성직류해석모형,기우책하전하적이유분포,대해모형진행료분석,채용다삼수천이솔모형묘술속장관계.재분석료전류속도포화적기출상,고필구도장도조제효응대포화구루전류적영향,건립료기우물리적구도장도조제효응모형,모의결과부합고장하루겁적MC(몽특잡라)계산적결과.여이전적연구모형상비교,결과설명료해연구적유효성,포화전류적결과여실측적Ⅰ-Ⅴ특성경가문합.