半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
12期
1945-1948
,共4页
齐海涛%冯震%李亚丽%张雄文%商耀辉%郭维廉
齊海濤%馮震%李亞麗%張雄文%商耀輝%郭維廉
제해도%풍진%리아려%장웅문%상요휘%곽유렴
谐振隧穿二极管%InP%负阻%阻性截止频率
諧振隧穿二極管%InP%負阻%阻性截止頻率
해진수천이겁관%InP%부조%조성절지빈솔
设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的InP基RTD单管.器件正向PVCR为17.5,反向PVCR为28,峰值电流密度为56kA/cm2,采用RNC电路模型进行数据拟合后得到阻性截止频率为82.8GHz.实验为今后更高性能RTD单管的研制,以及RTD与其他高速高频三端器件单片集成电路的设计与研制奠定了基础.
設計併用分子束外延技術生長瞭InP基InGaAs/AlAs體繫RTD材料,採用傳統濕法腐蝕、光學接觸式光刻、金屬剝離、檯麵隔離和空氣橋互連工藝,研製齣瞭具有優良負阻特性和較高阻性截止頻率的InP基RTD單管.器件正嚮PVCR為17.5,反嚮PVCR為28,峰值電流密度為56kA/cm2,採用RNC電路模型進行數據擬閤後得到阻性截止頻率為82.8GHz.實驗為今後更高性能RTD單管的研製,以及RTD與其他高速高頻三耑器件單片集成電路的設計與研製奠定瞭基礎.
설계병용분자속외연기술생장료InP기InGaAs/AlAs체계RTD재료,채용전통습법부식、광학접촉식광각、금속박리、태면격리화공기교호련공예,연제출료구유우량부조특성화교고조성절지빈솔적InP기RTD단관.기건정향PVCR위17.5,반향PVCR위28,봉치전류밀도위56kA/cm2,채용RNC전로모형진행수거의합후득도조성절지빈솔위82.8GHz.실험위금후경고성능RTD단관적연제,이급RTD여기타고속고빈삼단기건단편집성전로적설계여연제전정료기출.
