半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
200-203
,共4页
高宏玲%王宝强%朱战平%李成基%段瑞飞%曾一平
高宏玲%王寶彊%硃戰平%李成基%段瑞飛%曾一平
고굉령%왕보강%주전평%리성기%단서비%증일평
MBE%低温缓冲层%MM-HEMT%Hall测试
MBE%低溫緩遲層%MM-HEMT%Hall測試
MBE%저온완충층%MM-HEMT%Hall측시
研究了用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs衬底上不同低温生长的台阶式组分渐变InAlAs缓冲层结构.用原子力显微镜(AFM)观测表面形貌,生长温度为340℃时,外延层表面粗糙度为1.79nm.用Van der Pauw方法研究了材料的电学特性,室温电阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(电学性能测试表明200V电压间距1mm时,漏电流仅为0.3μA).高分辨X射线测试样品显示为良好的层状结构,晶体质量随生长逐渐变好.首次用变温Hall测试研究多层InAlAs缓冲层材料内部的载流子传输机制,并用热激电流谱(TSC)分析了其高阻机制.
研究瞭用分子束外延(MBE)方法,在SI-GaAs襯底上不同低溫生長的檯階式組分漸變InAlAs緩遲層結構.用原子力顯微鏡(AFM)觀測錶麵形貌,生長溫度為340℃時,外延層錶麵粗糙度為1.79nm.用Van der Pauw方法研究瞭材料的電學特性,室溫電阻率ρ:2.6× 10Ω·cm.(電學性能測試錶明200V電壓間距1mm時,漏電流僅為0.3μA).高分辨X射線測試樣品顯示為良好的層狀結構,晶體質量隨生長逐漸變好.首次用變溫Hall測試研究多層InAlAs緩遲層材料內部的載流子傳輸機製,併用熱激電流譜(TSC)分析瞭其高阻機製.
연구료용분자속외연(MBE)방법,재SI-GaAs츤저상불동저온생장적태계식조분점변InAlAs완충층결구.용원자력현미경(AFM)관측표면형모,생장온도위340℃시,외연층표면조조도위1.79nm.용Van der Pauw방법연구료재료적전학특성,실온전조솔ρ:2.6× 10Ω·cm.(전학성능측시표명200V전압간거1mm시,루전류부위0.3μA).고분변X사선측시양품현시위량호적층상결구,정체질량수생장축점변호.수차용변온Hall측시연구다층InAlAs완충층재료내부적재류자전수궤제,병용열격전류보(TSC)분석료기고조궤제.
