半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
561-564
,共4页
王泽温%张龙%谷智%介万奇
王澤溫%張龍%穀智%介萬奇
왕택온%장룡%곡지%개만기
Hg0.89Mn0.11Te%腐蚀剂%位错蚀坑%晶界%Te夹杂
Hg0.89Mn0.11Te%腐蝕劑%位錯蝕坑%晶界%Te夾雜
Hg0.89Mn0.11Te%부식제%위착식갱%정계%Te협잡
以配比为 150mL饱和重铬酸钾水溶液比20mL HCl的腐蚀剂,对Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s为单位,连续腐蚀了5次,对每次腐蚀后的表面形貌在光学显微镜和扫描电镜下分别进行了观察.所用晶片是采用垂直布里奇曼法生长而成,垂直晶锭轴向切割下的圆形晶片.结果表明:腐蚀30s后,可观察到清晰的晶界及Te夹杂.而位错蚀坑密度随着腐蚀时间增长,先是增大,后又开始逐步减少,在60s时达到一个峰值,120s后又处于稳定.位错蚀坑尺寸随着腐蚀时间增长一直是逐步增大的.说明晶片实际的位错蚀坑需要腐蚀120s后才可以观察到.通过化学腐蚀机理分析,对实验结果进行了解释.
以配比為 150mL飽和重鉻痠鉀水溶液比20mL HCl的腐蝕劑,對Hg0.89Mn0.11Te晶片以30s為單位,連續腐蝕瞭5次,對每次腐蝕後的錶麵形貌在光學顯微鏡和掃描電鏡下分彆進行瞭觀察.所用晶片是採用垂直佈裏奇曼法生長而成,垂直晶錠軸嚮切割下的圓形晶片.結果錶明:腐蝕30s後,可觀察到清晰的晶界及Te夾雜.而位錯蝕坑密度隨著腐蝕時間增長,先是增大,後又開始逐步減少,在60s時達到一箇峰值,120s後又處于穩定.位錯蝕坑呎吋隨著腐蝕時間增長一直是逐步增大的.說明晶片實際的位錯蝕坑需要腐蝕120s後纔可以觀察到.通過化學腐蝕機理分析,對實驗結果進行瞭解釋.
이배비위 150mL포화중락산갑수용액비20mL HCl적부식제,대Hg0.89Mn0.11Te정편이30s위단위,련속부식료5차,대매차부식후적표면형모재광학현미경화소묘전경하분별진행료관찰.소용정편시채용수직포리기만법생장이성,수직정정축향절할하적원형정편.결과표명:부식30s후,가관찰도청석적정계급Te협잡.이위착식갱밀도수착부식시간증장,선시증대,후우개시축보감소,재60s시체도일개봉치,120s후우처우은정.위착식갱척촌수착부식시간증장일직시축보증대적.설명정편실제적위착식갱수요부식120s후재가이관찰도.통과화학부식궤리분석,대실험결과진행료해석.
