CAJ | 학술논문

借助超薄低温InP缓冲层,在GaAs衬底上生长出了高质量的InP外延层,在InP外延层中插入了15周期In0.93Ga0.07P/InP应变层超晶格(SLS),进一步阻断了失配位错穿透到晶体表面,提高了外延层的晶体质量,这样2.5 μm厚InP外延层的双晶X射线衍射(DCXRD)ω扫描半高全宽(FWHM)值降低至219 arcsec,该InP外延层的室温光荧光(PL)谱线宽度仅为42 meV.在此基础上,只利用超薄低温InP缓冲层技术就在半绝缘GaAs衬底上成功地制备出了长波长异变In0.53Ga0.47As PIN光电探测器,器件的台面面积为50 μm×50 μm,In0.53Ga0.47As吸收层厚度为300 nm,在3 V反偏压下器件的3 dB带宽达到了6 GHz,在1 550 nm波长处器件的响应度达到了0.12 A/W,对应的外量子效率为9.6%.
차조초박저온InP완충층,재GaAs츤저상생장출료고질량적InP외연층,재InP외연층중삽입료15주기In0.93Ga0.07P/InP응변층초정격(SLS),진일보조단료실배위착천투도정체표면,제고료외연층적정체질량,저양2.5 μm후InP외연층적쌍정X사선연사(DCXRD)ω소묘반고전관(FWHM)치강저지219 arcsec,해InP외연층적실온광형광(PL)보선관도부위42 meV.재차기출상,지이용초박저온InP완충층기술취재반절연GaAs츤저상성공지제비출료장파장이변In0.53Ga0.47As PIN광전탐측기,기건적태면면적위50 μm×50 μm,In0.53Ga0.47As흡수층후도위300 nm,재3 V반편압하기건적3 dB대관체도료6 GHz,재1 550 nm파장처기건적향응도체도료0.12 A/W,대응적외양자효솔위9.6%.