半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
11期
1765-1768
,共4页
孙浩%齐鸣%徐安怀%艾立鹍%朱福英
孫浩%齊鳴%徐安懷%艾立鹍%硃福英
손호%제명%서안부%애립곤%주복영
异质结双极晶体管%InP%GaAsSb%碳掺杂%气态源分子束外延
異質結雙極晶體管%InP%GaAsSb%碳摻雜%氣態源分子束外延
이질결쌍겁정체관%InP%GaAsSb%탄참잡%기태원분자속외연
以四溴化碳(CBr4)作为碳掺杂源,采用气态源分子束外延(GSMBE)技术生长了InP衬底上晶格匹配的重碳掺杂p型GaAsSb材料.通过改变CBr4压力,研究了掺杂浓度在(1～20)×1019cm-3范围内的掺杂特性,得到的最大掺杂浓度为2.025×1020cm-3,相应的空穴迁移率为20.4cm2/(V·s).研究了不同生长温度对掺碳GaAsSb外延层组分、晶格质量和表面粗糙度的影响,结果表明480℃是生长优良晶格质量的最优温度.
以四溴化碳(CBr4)作為碳摻雜源,採用氣態源分子束外延(GSMBE)技術生長瞭InP襯底上晶格匹配的重碳摻雜p型GaAsSb材料.通過改變CBr4壓力,研究瞭摻雜濃度在(1～20)×1019cm-3範圍內的摻雜特性,得到的最大摻雜濃度為2.025×1020cm-3,相應的空穴遷移率為20.4cm2/(V·s).研究瞭不同生長溫度對摻碳GaAsSb外延層組分、晶格質量和錶麵粗糙度的影響,結果錶明480℃是生長優良晶格質量的最優溫度.
이사추화탄(CBr4)작위탄참잡원,채용기태원분자속외연(GSMBE)기술생장료InP츤저상정격필배적중탄참잡p형GaAsSb재료.통과개변CBr4압력,연구료참잡농도재(1～20)×1019cm-3범위내적참잡특성,득도적최대참잡농도위2.025×1020cm-3,상응적공혈천이솔위20.4cm2/(V·s).연구료불동생장온도대참탄GaAsSb외연층조분、정격질량화표면조조도적영향,결과표명480℃시생장우량정격질량적최우온도.
