半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
4期
507-511,515
,共6页
刘中涛%韩彦军%张贤鹏%薛小琳%陈栋%汪莱%罗毅
劉中濤%韓彥軍%張賢鵬%薛小琳%陳棟%汪萊%囉毅
류중도%한언군%장현붕%설소림%진동%왕래%라의
p-InGaN/GaN异质结%退火%光致荧光%欧姆接触
p-InGaN/GaN異質結%退火%光緻熒光%歐姆接觸
p-InGaN/GaN이질결%퇴화%광치형광%구모접촉
系统地研究了氧气氛围中退火温度对Mg掺杂InGaN/GaN异质结电学特性及光学性能的影响.电流电压特性和表面方块电阻的测试表明,与p-GaN相比,p-InGaN/GaN异质结的最佳退火温度较低,而且容易与非合金化的Ni/Au电极形成欧姆接触.分析认为InGaN具有的较小带隙能量和p-InGaN/GaN异质结中存在强烈的极化效应以及InN较高的平衡蒸汽压是引起以上结果的主要原因.p-InGaN/GaN异质结10 K的光致荧光光谱中存在两个分别位于2.95 eV和2.25 eV的发光峰,随着材料退火温度的提高,这两个发光峰的强度逐渐降低.提出了类施主补偿中心参与的与H相关的络合物与Mg受主的复合发光机制,对退火前后光致荧光光谱的变化进行了解释.
繫統地研究瞭氧氣氛圍中退火溫度對Mg摻雜InGaN/GaN異質結電學特性及光學性能的影響.電流電壓特性和錶麵方塊電阻的測試錶明,與p-GaN相比,p-InGaN/GaN異質結的最佳退火溫度較低,而且容易與非閤金化的Ni/Au電極形成歐姆接觸.分析認為InGaN具有的較小帶隙能量和p-InGaN/GaN異質結中存在彊烈的極化效應以及InN較高的平衡蒸汽壓是引起以上結果的主要原因.p-InGaN/GaN異質結10 K的光緻熒光光譜中存在兩箇分彆位于2.95 eV和2.25 eV的髮光峰,隨著材料退火溫度的提高,這兩箇髮光峰的彊度逐漸降低.提齣瞭類施主補償中心參與的與H相關的絡閤物與Mg受主的複閤髮光機製,對退火前後光緻熒光光譜的變化進行瞭解釋.
계통지연구료양기분위중퇴화온도대Mg참잡InGaN/GaN이질결전학특성급광학성능적영향.전류전압특성화표면방괴전조적측시표명,여p-GaN상비,p-InGaN/GaN이질결적최가퇴화온도교저,이차용역여비합금화적Ni/Au전겁형성구모접촉.분석인위InGaN구유적교소대극능량화p-InGaN/GaN이질결중존재강렬적겁화효응이급InN교고적평형증기압시인기이상결과적주요원인.p-InGaN/GaN이질결10 K적광치형광광보중존재량개분별위우2.95 eV화2.25 eV적발광봉,수착재료퇴화온도적제고,저량개발광봉적강도축점강저.제출료류시주보상중심삼여적여H상관적락합물여Mg수주적복합발광궤제,대퇴화전후광치형광광보적변화진행료해석.
