现代仪器
現代儀器
현대의기
MODERN INSTRUMENTS
2007年
4期
17-19
,共3页
SiNx%薄膜%SiOx%光致发光%红外吸收
SiNx%薄膜%SiOx%光緻髮光%紅外吸收
SiNx%박막%SiOx%광치발광%홍외흡수
采用射频磁控溅射法在Si(100)和含有SiOx缓冲层的Si(100)上制备SiNx薄膜.直接生长在Si(100)的SiNx薄膜几乎不发光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高温热处理后有非常强的光致发光,当退火温度为800℃时发光强度达到最高.傅立叶红外吸收研究表明,直接生长在Si(100)的SiNx薄膜在退火后氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高温热处理后氧化程度明显升高,但过高温度的退火会导致Si-N键显著减少.分析认为SiNx/SiOx薄膜的发光与Si-N键和Si-O键密切相关.
採用射頻磁控濺射法在Si(100)和含有SiOx緩遲層的Si(100)上製備SiNx薄膜.直接生長在Si(100)的SiNx薄膜幾乎不髮光;而SiNx/SiOx薄膜在650℃以上的高溫熱處理後有非常彊的光緻髮光,噹退火溫度為800℃時髮光彊度達到最高.傅立葉紅外吸收研究錶明,直接生長在Si(100)的SiNx薄膜在退火後氧化程度略有增加;而SiNx/SiOx薄膜在高溫熱處理後氧化程度明顯升高,但過高溫度的退火會導緻Si-N鍵顯著減少.分析認為SiNx/SiOx薄膜的髮光與Si-N鍵和Si-O鍵密切相關.
채용사빈자공천사법재Si(100)화함유SiOx완충층적Si(100)상제비SiNx박막.직접생장재Si(100)적SiNx박막궤호불발광;이SiNx/SiOx박막재650℃이상적고온열처리후유비상강적광치발광,당퇴화온도위800℃시발광강도체도최고.부립협홍외흡수연구표명,직접생장재Si(100)적SiNx박막재퇴화후양화정도략유증가;이SiNx/SiOx박막재고온열처리후양화정도명현승고,단과고온도적퇴화회도치Si-N건현저감소.분석인위SiNx/SiOx박막적발광여Si-N건화Si-O건밀절상관.
