北京工业大学学报
北京工業大學學報
북경공업대학학보
JOURNAL OF BEIJING POLYTECHNIC UNIVERSITY
2007年
7期
678-681
,共4页
冯士维%李瑛%孙静莹%谢雪松%杨集%张跃宗%卢毅成
馮士維%李瑛%孫靜瑩%謝雪鬆%楊集%張躍宗%盧毅成
풍사유%리영%손정형%사설송%양집%장약종%로의성
氧化锌%单晶薄膜%紫外光探测器
氧化鋅%單晶薄膜%紫外光探測器
양화자%단정박막%자외광탐측기
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光谱具有明显的响应,其响应截止波长为368 nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的O与Zn之比对器件的响应时间有影响.
通過在MOCVD方法生長的ZnO薄膜上沉積AI/Au扠指狀電極製得ZnO紫外光電導型探測器,對該探測器的歐姆接觸特性、光電響應特性以及光譜響應特性進行瞭測試研究,併根據AES、XPS分析結果對測試結果進行瞭理論分析.結果錶明,即使在未進行閤金工藝的情況下,非閤金Al/ZnO金屬體繫與n型ZnO也可以形成良好的歐姆接觸,正嚮偏壓下,探測器的暗電流與光電流隨外加偏壓線性增加;探測器對紫外光譜具有明顯的響應,其響應截止波長為368 nm.XPS分析錶明,在ZnO薄膜錶麵存在著一定的O空位和Zn間隙,非化學計量的O與Zn之比對器件的響應時間有影響.
통과재MOCVD방법생장적ZnO박막상침적AI/Au차지상전겁제득ZnO자외광전도형탐측기,대해탐측기적구모접촉특성、광전향응특성이급광보향응특성진행료측시연구,병근거AES、XPS분석결과대측시결과진행료이론분석.결과표명,즉사재미진행합금공예적정황하,비합금Al/ZnO금속체계여n형ZnO야가이형성량호적구모접촉,정향편압하,탐측기적암전류여광전류수외가편압선성증가;탐측기대자외광보구유명현적향응,기향응절지파장위368 nm.XPS분석표명,재ZnO박막표면존재착일정적O공위화Zn간극,비화학계량적O여Zn지비대기건적향응시간유영향.
