微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
1期
43-45,48
,共4页
许献国%徐曦%胡健栋%赵刚
許獻國%徐晞%鬍健棟%趙剛
허헌국%서희%호건동%조강
体硅%CMOS器件%闭锁%伪闭锁路径法%单片机
體硅%CMOS器件%閉鎖%偽閉鎖路徑法%單片機
체규%CMOS기건%폐쇄%위폐쇄로경법%단편궤
在研究体硅CMOS器件的闭锁窗口现象时,发现了一种新的抗闭锁方法--伪闭锁路径法.文章介绍了这种方法的基本原理,开发了一种抗闭锁电路实例.运用计算机仿真分析技术开发的抗闭锁电路,可以实现体硅CMOS器件的闭锁抑制."闪光I"瞬时辐照试验表明,该抗闭锁电路的触发阈值剂量率很低,只有1.3×104 Gy(Si)/s,能够成功抑制单片机系统的辐射感应闭锁.
在研究體硅CMOS器件的閉鎖窗口現象時,髮現瞭一種新的抗閉鎖方法--偽閉鎖路徑法.文章介紹瞭這種方法的基本原理,開髮瞭一種抗閉鎖電路實例.運用計算機倣真分析技術開髮的抗閉鎖電路,可以實現體硅CMOS器件的閉鎖抑製."閃光I"瞬時輻照試驗錶明,該抗閉鎖電路的觸髮閾值劑量率很低,隻有1.3×104 Gy(Si)/s,能夠成功抑製單片機繫統的輻射感應閉鎖.
재연구체규CMOS기건적폐쇄창구현상시,발현료일충신적항폐쇄방법--위폐쇄로경법.문장개소료저충방법적기본원리,개발료일충항폐쇄전로실례.운용계산궤방진분석기술개발적항폐쇄전로,가이실현체규CMOS기건적폐쇄억제."섬광I"순시복조시험표명,해항폐쇄전로적촉발역치제량솔흔저,지유1.3×104 Gy(Si)/s,능구성공억제단편궤계통적복사감응폐쇄.
