材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2005年
z2期
74-75,83
,共3页
丁书龙%郭建%颜晓红%宣凯%林铁军
丁書龍%郭建%顏曉紅%宣凱%林鐵軍
정서룡%곽건%안효홍%선개%림철군
半导体材料%气相生长%化学气相沉积
半導體材料%氣相生長%化學氣相沉積
반도체재료%기상생장%화학기상침적
用化学气相沉积方法(CVD),以纯锌粉为原料,在镀金的硅片上制备出高密度的定向氧化锌(ZnO)纳米线,并用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对其形貌、结构及成分进行了表征;对镀金和不镀金的硅片上生长的ZnO纳米结构成分进行比较,证实其生长过程遵循气固生长机理.
用化學氣相沉積方法(CVD),以純鋅粉為原料,在鍍金的硅片上製備齣高密度的定嚮氧化鋅(ZnO)納米線,併用掃描電子顯微鏡和X射線衍射儀對其形貌、結構及成分進行瞭錶徵;對鍍金和不鍍金的硅片上生長的ZnO納米結構成分進行比較,證實其生長過程遵循氣固生長機理.
용화학기상침적방법(CVD),이순자분위원료,재도금적규편상제비출고밀도적정향양화자(ZnO)납미선,병용소묘전자현미경화X사선연사의대기형모、결구급성분진행료표정;대도금화불도금적규편상생장적ZnO납미결구성분진행비교,증실기생장과정준순기고생장궤리.
