ZnO:Ga透明导电膜的低温制备及特性研究
ZnO:Ga투명도전막적저온제비급특성연구
Preparation and characterization of ZnO:Ga films prepared by r.f. magnetron sputtering at low temperature
  • 万方数据
    功能材料 공능재료
    JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
    2004年 z1期 1131-1133 ,共3页

    余旭浒%马瑾%计峰%王玉恒%宗福建%张锡健%程传福%马洪磊

    여욱호%마근%계봉%왕옥항%종복건%장석건%정전복%마홍뢰

    磁控溅射%ZnO:Ga%光电特性 磁控濺射%ZnO:Ga%光電特性
    자공천사%ZnO:Ga%광전특성
    采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
    채용사빈자공천사법재파리츤저상저온제비출고질량적가참잡양화자(ZnO:Ga)투명도전막,대박막적결구화광전특성이급제비삼수대박막성능적영향진행료연구.제비적ZnO:Ga시구유륙각섬자광결구적다정박막,최가택우취향위(002)방향.박막적최저전조솔체도료3.9×10-4Ωcm,방괴전조～4.6Ω/□,박막구유량호적부착성,재가견광구적평균투과솔체도90%이상.
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