低阻硅衬底上形成的低损耗共平面波导传输线
저조규츤저상형성적저손모공평면파도전수선
LOW-LOSS CPW LINE ON LOW-RESISTIVITY SILICON
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2004年 5期 357-359 ,共3页

    葛羽屏%郭方敏%王伟明%徐欣%游淑珍%邵丽%于绍欣%朱自强%陆卫

    갈우병%곽방민%왕위명%서흔%유숙진%소려%우소흔%주자강%륙위

    射频(RF)/微波(MW)%多孔硅/氧化多孔硅%共面波导%插入损耗 射頻(RF)/微波(MW)%多孔硅/氧化多孔硅%共麵波導%插入損耗
    사빈(RF)/미파(MW)%다공규/양화다공규%공면파도%삽입손모
    在厚膜多孔硅(PS)/氧化多孔硅(OPS)衬底上,结合聚酰亚胺涂层改善表面,研制低损耗、高性能射频(RF)/微波(MW)共平面波导CPW(Coplanar Waveguide).通过在N和P型硅上形成不同厚度PS膜,并对其上的CPW进行分析比较,厚膜PS与石英的共面波导插入损耗非常接近,远小于在2000Ω·cm高阻硅上形成的多晶硅-氧化硅组合衬底:在0-33GHz范围,插入损耗小于5dB/1.2cm;33-40GHz范围,小于7.5dB/1.2cm.
    재후막다공규(PS)/양화다공규(OPS)츤저상,결합취선아알도층개선표면,연제저손모、고성능사빈(RF)/미파(MW)공평면파도CPW(Coplanar Waveguide).통과재N화P형규상형성불동후도PS막,병대기상적CPW진행분석비교,후막PS여석영적공면파도삽입손모비상접근,원소우재2000Ω·cm고조규상형성적다정규-양화규조합츤저:재0-33GHz범위,삽입손모소우5dB/1.2cm;33-40GHz범위,소우7.5dB/1.2cm.
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