上海交通大学学报
上海交通大學學報
상해교통대학학보
JOURNAL OF SHANGHAI JIAOTONG UNIVERSITY
2002年
5期
616-619
,共4页
李文漪%蔡珣%周之斌%茅及放%李刚%许实
李文漪%蔡珣%週之斌%茅及放%李剛%許實
리문의%채순%주지빈%모급방%리강%허실
CuInSe2%真空蒸镀%硒化%光伏材料
CuInSe2%真空蒸鍍%硒化%光伏材料
CuInSe2%진공증도%서화%광복재료
利用两源蒸镀Cu-In合金膜,在半封闭石墨盒中硒化,制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)薄膜.实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系.探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响.结果表明,单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整.硒化过程中,随着硒化温度的升高Cu的损失量增加,In的损失量相对减少;在300°C硒化时开始出现CIS黄铜矿结构,350°C硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构,500°C制得单一结构的CIS薄膜.
利用兩源蒸鍍Cu-In閤金膜,在半封閉石墨盒中硒化,製備瞭具有單一黃銅礦結構的CuInSe2(CIS)薄膜.實驗研究瞭閤金膜組分與薄膜結構、形貌的關繫.探討瞭不同硒化溫度對CIS薄膜組織結構、成分和晶粒呎吋的影響.結果錶明,單一結構有利于Cu-In閤金膜的均勻和平整.硒化過程中,隨著硒化溫度的升高Cu的損失量增加,In的損失量相對減少;在300°C硒化時開始齣現CIS黃銅礦結構,350°C硒化所得薄膜絕大多數為CIS結構,500°C製得單一結構的CIS薄膜.
이용량원증도Cu-In합금막,재반봉폐석묵합중서화,제비료구유단일황동광결구적CuInSe2(CIS)박막.실험연구료합금막조분여박막결구、형모적관계.탐토료불동서화온도대CIS박막조직결구、성분화정립척촌적영향.결과표명,단일결구유리우Cu-In합금막적균균화평정.서화과정중,수착서화온도적승고Cu적손실량증가,In적손실량상대감소;재300°C서화시개시출현CIS황동광결구,350°C서화소득박막절대다수위CIS결구,500°C제득단일결구적CIS박막.
