科学技术与工程
科學技術與工程
과학기술여공정
SCIENCE TECHNOLOGY AND ENGINEERING
2002年
6期
47-49
,共3页
等离子电弧%AlN纳米线%制备
等離子電弧%AlN納米線%製備
등리자전호%AlN납미선%제비
采用两步熔铝氮化法成功地制备出了AlN纳米线.首先,用含氮等离子体电弧法制得Al+AlN混合纳米粉.然后,再将Al+AlN混合纳米粉在750～850℃下保温1 h进行氮化处理,制备出含有AlN纳米线的纯AlN纳米材料.经XRD、TEM和HR-TEM的测试表明:AlN纳米线呈表面平滑的棒状形貌,其直径10～50 nm,长度为500nm～500μm.同时探讨了AlN纳米线的生长机制.
採用兩步鎔鋁氮化法成功地製備齣瞭AlN納米線.首先,用含氮等離子體電弧法製得Al+AlN混閤納米粉.然後,再將Al+AlN混閤納米粉在750～850℃下保溫1 h進行氮化處理,製備齣含有AlN納米線的純AlN納米材料.經XRD、TEM和HR-TEM的測試錶明:AlN納米線呈錶麵平滑的棒狀形貌,其直徑10～50 nm,長度為500nm～500μm.同時探討瞭AlN納米線的生長機製.
채용량보용려담화법성공지제비출료AlN납미선.수선,용함담등리자체전호법제득Al+AlN혼합납미분.연후,재장Al+AlN혼합납미분재750～850℃하보온1 h진행담화처리,제비출함유AlN납미선적순AlN납미재료.경XRD、TEM화HR-TEM적측시표명:AlN납미선정표면평활적봉상형모,기직경10～50 nm,장도위500nm～500μm.동시탐토료AlN납미선적생장궤제.
