功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2000年
4期
436-439
,共4页
陈开茅%孙文红%武兰青%张伯蕊%吴恩%孙允希%乔永平
陳開茅%孫文紅%武蘭青%張伯蕊%吳恩%孫允希%喬永平
진개모%손문홍%무란청%장백예%오은%손윤희%교영평
固体C70%GaAs%界面态%整流性质
固體C70%GaAs%界麵態%整流性質
고체C70%GaAs%계면태%정류성질
在高真空系统中,将C70膜淀积在(100)晶向n型和p型GaAs衬底上,形成固体C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs两种接触.电学测量表明两种接触均是强整流结,在偏压为±1V时,它们的整流比分别大于106和104,以及在固定正向偏压下,它们的电流都是温度倒数的指数函数,从中确定了它们的有效势垒高度分别为0.784eV和0.531eV.深能级瞬态谱(DLTS)和C-t测量发现在C70/GaAs界面上存在一个电子陷阱E(0.640eV)和一个空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界面的固体C70中存在两个空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).
在高真空繫統中,將C70膜澱積在(100)晶嚮n型和p型GaAs襯底上,形成固體C70/n-GaAs 和C70/p-GaAs兩種接觸.電學測量錶明兩種接觸均是彊整流結,在偏壓為±1V時,它們的整流比分彆大于106和104,以及在固定正嚮偏壓下,它們的電流都是溫度倒數的指數函數,從中確定瞭它們的有效勢壘高度分彆為0.784eV和0.531eV.深能級瞬態譜(DLTS)和C-t測量髮現在C70/GaAs界麵上存在一箇電子陷阱E(0.640eV)和一箇空穴陷阱H3(0.822eV),以及在近界麵的固體C70中存在兩箇空穴陷阱H4(1.155eV)和H5(0.856eV).
재고진공계통중,장C70막정적재(100)정향n형화p형GaAs츤저상,형성고체C70/n-GaAs 화C70/p-GaAs량충접촉.전학측량표명량충접촉균시강정류결,재편압위±1V시,타문적정류비분별대우106화104,이급재고정정향편압하,타문적전류도시온도도수적지수함수,종중학정료타문적유효세루고도분별위0.784eV화0.531eV.심능급순태보(DLTS)화C-t측량발현재C70/GaAs계면상존재일개전자함정E(0.640eV)화일개공혈함정H3(0.822eV),이급재근계면적고체C70중존재량개공혈함정H4(1.155eV)화H5(0.856eV).
