半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2000年
2期
35-37,52
,共4页
王基庆%李晓林%郭盘林%裘惠源%朱节清
王基慶%李曉林%郭盤林%裘惠源%硃節清
왕기경%리효림%곽반림%구혜원%주절청
核子微探针%离子束感生电荷%低束流技术
覈子微探針%離子束感生電荷%低束流技術
핵자미탐침%리자속감생전하%저속류기술
使用低束流技术,在高分辨率扫描质子微探针装置上开展了离子束感生电荷显微术,并研究了半导体材料GaAs的电子学性能.实验结果表明,在同一扫描区域内,材料的电荷收集效率具有不均匀特性,而且氦离子激发产生的IBIC显微图谱的对比度比质子要强.
使用低束流技術,在高分辨率掃描質子微探針裝置上開展瞭離子束感生電荷顯微術,併研究瞭半導體材料GaAs的電子學性能.實驗結果錶明,在同一掃描區域內,材料的電荷收集效率具有不均勻特性,而且氦離子激髮產生的IBIC顯微圖譜的對比度比質子要彊.
사용저속류기술,재고분변솔소묘질자미탐침장치상개전료리자속감생전하현미술,병연구료반도체재료GaAs적전자학성능.실험결과표명,재동일소묘구역내,재료적전하수집효솔구유불균균특성,이차양리자격발산생적IBIC현미도보적대비도비질자요강.
