电化学
電化學
전화학
2000年
4期
463-468
,共6页
李浴春%王喜莲%韩竞科%韩爱珍%高元恺%杨志伟
李浴春%王喜蓮%韓競科%韓愛珍%高元愷%楊誌偉
리욕춘%왕희련%한경과%한애진%고원개%양지위
InGaAs薄膜%电共沉积%透射率
InGaAs薄膜%電共沉積%透射率
InGaAs박막%전공침적%투사솔
本文应用优化工艺条件的电共沉积方法,制备发射光近于1.3～1.5 μm波长的InGaAs薄膜.用能谱分析仪进行薄膜成分分析;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率,同时也测量了薄膜的V-I特性、导电类型及其表面形貌.
本文應用優化工藝條件的電共沉積方法,製備髮射光近于1.3～1.5 μm波長的InGaAs薄膜.用能譜分析儀進行薄膜成分分析;分光光度計和單色儀測量薄膜的透射率,同時也測量瞭薄膜的V-I特性、導電類型及其錶麵形貌.
본문응용우화공예조건적전공침적방법,제비발사광근우1.3～1.5 μm파장적InGaAs박막.용능보분석의진행박막성분분석;분광광도계화단색의측량박막적투사솔,동시야측량료박막적V-I특성、도전류형급기표면형모.
