材料导报
材料導報
재료도보
MATERIALS REVIEW
2003年
2期
35-37,75
,共4页
ZnO晶体%直接宽带隙材料%半导体材料
ZnO晶體%直接寬帶隙材料%半導體材料
ZnO정체%직접관대극재료%반도체재료
ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、紫外光等多种发光器件.对ZnO晶体的生长方法及研究进展做了简要的叙述.
ZnO晶體是直接寬帶隙半導體材料,室溫下禁帶寬度為3.37eV,激子束縳能為60meV.其禁帶寬度對應紫外光的波長,有望開髮藍綠光、藍光、紫外光等多種髮光器件.對ZnO晶體的生長方法及研究進展做瞭簡要的敘述.
ZnO정체시직접관대극반도체재료,실온하금대관도위3.37eV,격자속박능위60meV.기금대관도대응자외광적파장,유망개발람록광、람광、자외광등다충발광기건.대ZnO정체적생장방법급연구진전주료간요적서술.
