物理化学学报
物理化學學報
물이화학학보
ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA
2002年
12期
1062--1067
,共-2128页
核-壳纳米粒子%电化学沉积%自组装膜%Au纳米粒子%Cu纳米粒子
覈-殼納米粒子%電化學沉積%自組裝膜%Au納米粒子%Cu納米粒子
핵-각납미입자%전화학침적%자조장막%Au납미입자%Cu납미입자
以组装在有机分子自组装膜/金基底电极上的Au纳米粒子阵列为电化学沉积模板,制备了金(核)-铜(壳)纳米粒子阵列.选用巯基十一胺(AUDT)和巯基癸烷(DT)混合自组装膜作为基底电极与Au纳米粒子的耦联层,可以在一定的电位下实现金属Cu在Au纳米粒子上的选择性沉积.将沉积电位控制在-0.03V(vsSCE)时,沉积初期(t≤15s,沉积粒子粒径≤20nm)金(核)-铜(壳)粒子具有良好的单分散性和近似球形,而且粒径实验值同计算值非常吻合.
以組裝在有機分子自組裝膜/金基底電極上的Au納米粒子陣列為電化學沉積模闆,製備瞭金(覈)-銅(殼)納米粒子陣列.選用巰基十一胺(AUDT)和巰基癸烷(DT)混閤自組裝膜作為基底電極與Au納米粒子的耦聯層,可以在一定的電位下實現金屬Cu在Au納米粒子上的選擇性沉積.將沉積電位控製在-0.03V(vsSCE)時,沉積初期(t≤15s,沉積粒子粒徑≤20nm)金(覈)-銅(殼)粒子具有良好的單分散性和近似毬形,而且粒徑實驗值同計算值非常吻閤.
이조장재유궤분자자조장막/금기저전겁상적Au납미입자진렬위전화학침적모판,제비료금(핵)-동(각)납미입자진렬.선용구기십일알(AUDT)화구기계완(DT)혼합자조장막작위기저전겁여Au납미입자적우련층,가이재일정적전위하실현금속Cu재Au납미입자상적선택성침적.장침적전위공제재-0.03V(vsSCE)시,침적초기(t≤15s,침적입자립경≤20nm)금(핵)-동(각)입자구유량호적단분산성화근사구형,이차립경실험치동계산치비상문합.
