半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
12期
1281-1285
,共5页
梁晓甘%江德生%边历峰%潘钟%李联合%吴荣汉
樑曉甘%江德生%邊歷峰%潘鐘%李聯閤%吳榮漢
량효감%강덕생%변력봉%반종%리연합%오영한
氮化物%光致发光%光调制反射%量子阱
氮化物%光緻髮光%光調製反射%量子阱
담화물%광치발광%광조제반사%양자정
研究了GaInNAs/GaAs多量子阱在不同温度和激发功率下的光致发光(PL)谱以及光调制反射(PR)谱.发现PL谱主发光峰的能量位置随温度的变化不满足Varshni关系,而是呈现出反常的S型温度依赖关系.进一步测量,特别是在较低的激发光功率密度下,发现有两个不同来源的发光峰,它们分别对应于氮引起的杂质束缚态和带间的激子复合发光.随温度变化,这两个发光峰相对强度发生变化,造成主峰(最强的峰)的位置发生切换,从而导致表观上的S型温度依赖关系.采用一个基于载流子热激发和出空过程的模型来解释氮杂质团簇引起的束缚态发光峰的温度依赖关系.
研究瞭GaInNAs/GaAs多量子阱在不同溫度和激髮功率下的光緻髮光(PL)譜以及光調製反射(PR)譜.髮現PL譜主髮光峰的能量位置隨溫度的變化不滿足Varshni關繫,而是呈現齣反常的S型溫度依賴關繫.進一步測量,特彆是在較低的激髮光功率密度下,髮現有兩箇不同來源的髮光峰,它們分彆對應于氮引起的雜質束縳態和帶間的激子複閤髮光.隨溫度變化,這兩箇髮光峰相對彊度髮生變化,造成主峰(最彊的峰)的位置髮生切換,從而導緻錶觀上的S型溫度依賴關繫.採用一箇基于載流子熱激髮和齣空過程的模型來解釋氮雜質糰簇引起的束縳態髮光峰的溫度依賴關繫.
연구료GaInNAs/GaAs다양자정재불동온도화격발공솔하적광치발광(PL)보이급광조제반사(PR)보.발현PL보주발광봉적능량위치수온도적변화불만족Varshni관계,이시정현출반상적S형온도의뢰관계.진일보측량,특별시재교저적격발광공솔밀도하,발현유량개불동래원적발광봉,타문분별대응우담인기적잡질속박태화대간적격자복합발광.수온도변화,저량개발광봉상대강도발생변화,조성주봉(최강적봉)적위치발생절환,종이도치표관상적S형온도의뢰관계.채용일개기우재류자열격발화출공과정적모형래해석담잡질단족인기적속박태발광봉적온도의뢰관계.
