CAJ | 학술논문

用电化学C-V和I-V特性分析的方法,对Mg掺杂在MOCVD生长AlGaI nP发光二极管(LED)的影响进行了研究.通过电化学C-V分析,确定了在生长结构中Mg掺杂从有源层到GaP窗口层由高到低的情况;用I-V特性分析的方法对器件结构进行了分析,发现了异常的实验结果.同时理论计算得到了同型结(N+-N,P+-P)的势垒高度和空间电荷区的宽度,由此得到了在同型结两侧浓度比不同时的差异,极好的解释了异常的I-V测试结果.
용전화학C-V화I-V특성분석적방법,대Mg참잡재MOCVD생장AlGaI nP발광이겁관(LED)적영향진행료연구.통과전화학C-V분석,학정료재생장결구중Mg참잡종유원층도GaP창구층유고도저적정황;용I-V특성분석적방법대기건결구진행료분석,발현료이상적실험결과.동시이론계산득도료동형결(N+-N,P+-P)적세루고도화공간전하구적관도,유차득도료재동형결량측농도비불동시적차이,겁호적해석료이상적I-V측시결과.