半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2002年
10期
1041-1045
,共5页
赵有文%罗以琳%冯汉源%C.D.Beling%林兰英
趙有文%囉以琳%馮漢源%C.D.Beling%林蘭英
조유문%라이림%풍한원%C.D.Beling%림란영
磷化铟%半绝缘%缺陷
燐化銦%半絕緣%缺陷
린화인%반절연%결함
InP%semi-insulation%defects
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依赖于掺铁的浓度.掺铁的浓度也对半绝缘InP的光学性质和材料中缺陷的形成有影响.用PL和PC分别研究了掺铁半绝缘InP的禁带收缩现象和材料中的缺陷.
利用霍爾效應、電流-電壓(I-V)、光緻髮光譜(PL)和光電流譜(PC)研究瞭不同摻鐵濃度的半絕緣InP的性質.半絕緣InP的I-V特性明顯地依賴于摻鐵的濃度.摻鐵的濃度也對半絕緣InP的光學性質和材料中缺陷的形成有影響.用PL和PC分彆研究瞭摻鐵半絕緣InP的禁帶收縮現象和材料中的缺陷.
이용곽이효응、전류-전압(I-V)、광치발광보(PL)화광전류보(PC)연구료불동참철농도적반절연InP적성질.반절연InP적I-V특성명현지의뢰우참철적농도.참철적농도야대반절연InP적광학성질화재료중결함적형성유영향.용PL화PC분별연구료참철반절연InP적금대수축현상화재료중적결함.
Properties of Fe-doped semi-insulating (SI) InP with different iron concentrations are studied by using Hall effect,current-voltage (I-V),photoluminescence spectroscopy (PL) and photocurrent spectroscopy(PC)measurements.I-V characteristics of SI InP strongly depend on Fe doping concentration.Fe doping concentration also influences optical properties and defective formation in as-grown SI InP.Band-gap narrowing phenomenon and defects in Fe doped SI InP are studied using PL and PC.