太阳能学报
太暘能學報
태양능학보
ACTA ENERGIAE SOLARIS SINICA
2002年
6期
759-762
,共4页
表面织构%化学腐蚀%多晶硅%太阳电池
錶麵織構%化學腐蝕%多晶硅%太暘電池
표면직구%화학부식%다정규%태양전지
用化学腐蚀方法织构多晶硅片的表面,利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果.结果表明酸溶液腐蚀的硅片表面相对平整,有均匀的腐蚀坑,反射率很小.在没有任何减反射膜的情况下,在500～1000nm波长范围内,反射率在16%以下,有较好的表面陷光效果.而用碱溶液和双织构腐蚀方法得到的多晶硅表面陷光作用都不很理想,反射率高于酸溶液腐蚀硅片,腐蚀后的硅片表面状态也不利于扩散和丝网印刷工艺.
用化學腐蝕方法織構多晶硅片的錶麵,利用SEM分析瞭化學腐蝕後多晶硅片錶麵狀態,通過反射譜的測試,分析瞭多晶硅片錶麵陷光效果.結果錶明痠溶液腐蝕的硅片錶麵相對平整,有均勻的腐蝕坑,反射率很小.在沒有任何減反射膜的情況下,在500～1000nm波長範圍內,反射率在16%以下,有較好的錶麵陷光效果.而用堿溶液和雙織構腐蝕方法得到的多晶硅錶麵陷光作用都不很理想,反射率高于痠溶液腐蝕硅片,腐蝕後的硅片錶麵狀態也不利于擴散和絲網印刷工藝.
용화학부식방법직구다정규편적표면,이용SEM분석료화학부식후다정규편표면상태,통과반사보적측시,분석료다정규편표면함광효과.결과표명산용액부식적규편표면상대평정,유균균적부식갱,반사솔흔소.재몰유임하감반사막적정황하,재500～1000nm파장범위내,반사솔재16%이하,유교호적표면함광효과.이용감용액화쌍직구부식방법득도적다정규표면함광작용도불흔이상,반사솔고우산용액부식규편,부식후적규편표면상태야불리우확산화사망인쇄공예.
