物理学报
物理學報
물이학보
2001年
11期
2258-2262
,共5页
立方氮化硼%活性反应离子镀%脉冲偏压
立方氮化硼%活性反應離子鍍%脈遲偏壓
립방담화붕%활성반응리자도%맥충편압
采用磁增强活性反应离子镀系统成功地合成了立方氮化硼薄膜.通过给基片施加脉冲直流偏压以代替传统的射频偏压,增强了立方氮化硼的成膜稳定性,研究了基片的直流脉冲偏压、等离子体放电电流、通入气体流量比(Ar/N2)和基片温度沉积参数对立方氮化硼薄膜形成的影响规律.结果表明:随着基片负偏压和放电电流的增大,薄膜中立方氮化硼的纯度提高,当基片负偏压为155V,放电电流为15A时,可获得几乎单相的立方氮化硼薄膜.基片温度为5500℃和Ar/N2流量比为10时,最有利于立方氮化硼的形成.偏离这个值,都会促进薄膜中非立方相的形成.
採用磁增彊活性反應離子鍍繫統成功地閤成瞭立方氮化硼薄膜.通過給基片施加脈遲直流偏壓以代替傳統的射頻偏壓,增彊瞭立方氮化硼的成膜穩定性,研究瞭基片的直流脈遲偏壓、等離子體放電電流、通入氣體流量比(Ar/N2)和基片溫度沉積參數對立方氮化硼薄膜形成的影響規律.結果錶明:隨著基片負偏壓和放電電流的增大,薄膜中立方氮化硼的純度提高,噹基片負偏壓為155V,放電電流為15A時,可穫得幾乎單相的立方氮化硼薄膜.基片溫度為5500℃和Ar/N2流量比為10時,最有利于立方氮化硼的形成.偏離這箇值,都會促進薄膜中非立方相的形成.
채용자증강활성반응리자도계통성공지합성료립방담화붕박막.통과급기편시가맥충직류편압이대체전통적사빈편압,증강료립방담화붕적성막은정성,연구료기편적직류맥충편압、등리자체방전전류、통입기체류량비(Ar/N2)화기편온도침적삼수대립방담화붕박막형성적영향규률.결과표명:수착기편부편압화방전전류적증대,박막중립방담화붕적순도제고,당기편부편압위155V,방전전류위15A시,가획득궤호단상적립방담화붕박막.기편온도위5500℃화Ar/N2류량비위10시,최유리우립방담화붕적형성.편리저개치,도회촉진박막중비립방상적형성.
