CAJ | 학술논문

在高真空系统中，将C70膜淀积在n-和p-GaAs(100)衬底上，制成C70/n-GaAs和C70/p-GaAs两种接触，并对它们的电学性质作了研究．结果发现两种接触均为强整流结，在偏压为±1V时，C70/n-GaAs和C70/p-GaAs接触的整流比分别大于106和104，并且它们的理想因子都接近于1．当正向偏压固定时，它们的电流均是温度倒数的指数函数，从中确定两种异质结的有效势垒高度分别为0.784和0.531eV．用深能级瞬态谱（DLTS）在C70/GaAs界面上观察到电子陷阱E(0.640eV)和空穴陷阱H3(0.822eV),以及用电容-时间（C-t）技术在固体C70中观测到两种空穴陷阱H4（1.155eV）和H5（0.856eV）．E(0.640eV) 和 H3(0.822eV) 的密度均小于1012/cm2,可以得出结论：固体C70对GaAs表面具有很好的钝化作用．
재고진공계통중，장C70막정적재n-화p-GaAs(100)츤저상，제성C70/n-GaAs화C70/p-GaAs량충접촉，병대타문적전학성질작료연구．결과발현량충접촉균위강정류결，재편압위±1V시，C70/n-GaAs화C70/p-GaAs접촉적정류비분별대우106화104，병차타문적이상인자도접근우1．당정향편압고정시，타문적전류균시온도도수적지수함수，종중학정량충이질결적유효세루고도분별위0.784화0.531eV．용심능급순태보（DLTS）재C70/GaAs계면상관찰도전자함정E(0.640eV)화공혈함정H3(0.822eV),이급용전용-시간（C-t）기술재고체C70중관측도량충공혈함정H4（1.155eV）화H5（0.856eV）．E(0.640eV) 화 H3(0.822eV) 적밀도균소우1012/cm2,가이득출결론：고체C70대GaAs표면구유흔호적둔화작용．