半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2000年
3期
188-192
,共5页
微盘激光器%有效增益因子%选模%面发射
微盤激光器%有效增益因子%選模%麵髮射
미반격광기%유효증익인자%선모%면발사
为了实现半导体微盘激光器的单模面发射,设计了一种以InGaN多量子阱为有源层,GaN外延层为覆盖层的半导体微盘激光器.通过对GaN覆盖层进行图形刻蚀,可以对不同的角模式进行有选择的增益,由此实现选模.用有效增益因子加电介质盘的模型对实际微盘结构进行简化,并根据此模型计算微盘内的场分布和盘外的远场分布,并进一步计算有效增益因子.分析表明,这种结构能够实现m=1角模式的面发射.
為瞭實現半導體微盤激光器的單模麵髮射,設計瞭一種以InGaN多量子阱為有源層,GaN外延層為覆蓋層的半導體微盤激光器.通過對GaN覆蓋層進行圖形刻蝕,可以對不同的角模式進行有選擇的增益,由此實現選模.用有效增益因子加電介質盤的模型對實際微盤結構進行簡化,併根據此模型計算微盤內的場分佈和盤外的遠場分佈,併進一步計算有效增益因子.分析錶明,這種結構能夠實現m=1角模式的麵髮射.
위료실현반도체미반격광기적단모면발사,설계료일충이InGaN다양자정위유원층,GaN외연층위복개층적반도체미반격광기.통과대GaN복개층진행도형각식,가이대불동적각모식진행유선택적증익,유차실현선모.용유효증익인자가전개질반적모형대실제미반결구진행간화,병근거차모형계산미반내적장분포화반외적원장분포,병진일보계산유효증익인자.분석표명,저충결구능구실현m=1각모식적면발사.
