半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2001年
2期
117-120
,共4页
吴远大%邢华%张乐天%韦占雄%郑伟%刘国范%张玉书
吳遠大%邢華%張樂天%韋佔雄%鄭偉%劉國範%張玉書
오원대%형화%장악천%위점웅%정위%류국범%장옥서
火焰水解法%光波导%玻璃态SiO2
火燄水解法%光波導%玻璃態SiO2
화염수해법%광파도%파리태SiO2
采用火焰水解法在Si 基上淀积SiO2 / GeO2：SiO2 预制材料，然后在真空中/空气气氛中高温处理（1380 ℃）后，制得玻璃化的SiO2 / GeO2：SiO2 膜材料。该材料膜厚适中（10～30 μm）、平整度好、光滑透明和适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。利用XRD，SEM和台阶仪等仪器对SiO2 膜进行了测试分析。
採用火燄水解法在Si 基上澱積SiO2 / GeO2：SiO2 預製材料，然後在真空中/空氣氣氛中高溫處理（1380 ℃）後，製得玻璃化的SiO2 / GeO2：SiO2 膜材料。該材料膜厚適中（10～30 μm）、平整度好、光滑透明和適閤製作單模、多模列陣平麵波導光柵。利用XRD，SEM和檯階儀等儀器對SiO2 膜進行瞭測試分析。
채용화염수해법재Si 기상정적SiO2 / GeO2：SiO2 예제재료，연후재진공중/공기기분중고온처리（1380 ℃）후，제득파리화적SiO2 / GeO2：SiO2 막재료。해재료막후괄중（10～30 μm）、평정도호、광활투명화괄합제작단모、다모렬진평면파도광책。이용XRD，SEM화태계의등의기대SiO2 막진행료측시분석。
SiO2 and GeO2:SiO2 films are deposited on silicon substrate by flame hydrolysis deposition (FHD). Then the films are soldified in electric furnaces at 1 380 ℃ to form silica glass. The glass films(10～ 30 μm thick) are uniform, glassy and transparent, which can be used to fabricate both single-mode and multi-mode arrayed waveguide gratings. Finally, the silica films are analyzed by instrumentation of SEM, XRD and step tester, etc.
