光电子·激光
光電子·激光
광전자·격광
JOURNAL OF OPTOECTRONICS·LASER
2006年
8期
958-962
,共5页
隋妍萍%于广辉%俞谦荣%齐鸣
隋妍萍%于廣輝%俞謙榮%齊鳴
수연평%우엄휘%유겸영%제명
分子束外延(MBE)%Ⅲ/Ⅴ比%二维生长%光致发光(PL)谱
分子束外延(MBE)%Ⅲ/Ⅴ比%二維生長%光緻髮光(PL)譜
분자속외연(MBE)%Ⅲ/Ⅴ비%이유생장%광치발광(PL)보
在射频(RF)等离子体辅助分子束外延(MBE)系统中,采用低温缓冲层等一系列生长工艺制备出二维生长模式的GaN材料;通过研究Ⅲ/Ⅴ比的调节对GaN生长的影响,确定了微富Ga的MBE生长GaN的优化条件;对GaN富Ga和富N状态的表面形貌和结构进行了比较,富Ga条件下的GaN具有更好的表面和材料特性;通过Hall和光致发光(PL)谱测试研究了GaN的电学和光学性质,GaN的黄带发光(YL)与GaN中生成能最低的VN和VGa缺陷态有关.
在射頻(RF)等離子體輔助分子束外延(MBE)繫統中,採用低溫緩遲層等一繫列生長工藝製備齣二維生長模式的GaN材料;通過研究Ⅲ/Ⅴ比的調節對GaN生長的影響,確定瞭微富Ga的MBE生長GaN的優化條件;對GaN富Ga和富N狀態的錶麵形貌和結構進行瞭比較,富Ga條件下的GaN具有更好的錶麵和材料特性;通過Hall和光緻髮光(PL)譜測試研究瞭GaN的電學和光學性質,GaN的黃帶髮光(YL)與GaN中生成能最低的VN和VGa缺陷態有關.
재사빈(RF)등리자체보조분자속외연(MBE)계통중,채용저온완충층등일계렬생장공예제비출이유생장모식적GaN재료;통과연구Ⅲ/Ⅴ비적조절대GaN생장적영향,학정료미부Ga적MBE생장GaN적우화조건;대GaN부Ga화부N상태적표면형모화결구진행료비교,부Ga조건하적GaN구유경호적표면화재료특성;통과Hall화광치발광(PL)보측시연구료GaN적전학화광학성질,GaN적황대발광(YL)여GaN중생성능최저적VN화VGa결함태유관.
