CAJ | 학술논문

万方数据

固体电子学研究与进展 고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年 4期 493-496 ,共4页

李静强%杨瑞霞%冯震%邱旭%王勇%冯志红%默江辉%杨克武%张志国

리정강%양서하%풍진%구욱%왕용%풍지홍%묵강휘%양극무%장지국

氯化镓%高迁移率晶体管%阻抗%内匹配氯化鎵%高遷移率晶體管%阻抗%內匹配
록화가%고천이솔정체관%조항%내필배

采用自主研发的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制了总栅宽为2 mm GaN0HEMT,利用负载牵引系统测试器件的阻抗特性,得出该器件源漏阻抗实部分别为6Ω和22Ω;设计并制作了四管芯合成器件的阻抗匹配网络,在频率为8 GHz下测试,饱和输出功率为30 W,功率增益在6 dB以上,功率附加效率为38%,该结果目前在国内为首次报道.
채용자주연발적SiC츤저GaN HEMT외연재료,연제료총책관위2 mm GaN0HEMT,이용부재견인계통측시기건적조항특성,득출해기건원루조항실부분별위6Ω화22Ω;설계병제작료사관심합성기건적조항필배망락,재빈솔위8 GHz하측시,포화수출공솔위30 W,공솔증익재6 dB이상,공솔부가효솔위38%,해결과목전재국내위수차보도.