半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
1期
17-20
,共4页
李富强%方园%高学邦%吴洪江%刘文杰
李富彊%方園%高學邦%吳洪江%劉文傑
리부강%방완%고학방%오홍강%류문걸
毫米波%单刀双掷开关%砷化镓%赝配高电子迁移率晶体管
毫米波%單刀雙擲開關%砷化鎵%贗配高電子遷移率晶體管
호미파%단도쌍척개관%신화가%안배고전자천이솔정체관
以0.25μm GaAs PHEMT为基础,介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程,并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制.讨论了PHEMT开关建模的重要性,解决了建模中的关键问题,包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取,建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型.单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑,开关的测试采用了微波探针在片测试系统,在18～30 GHz获得了优异的电性能,插入损耗IL≤1.5 dB,输入/输出驻波比VSWR≤1.5:1,关断状态下的隔离度ISO≥30 dB,芯片尺寸为1.2 m/mm×1.8 mm×0.1 mm.
以0.25μm GaAs PHEMT為基礎,介紹瞭微波單片集成電路開關模型的設計、測試及建模過程,併以此平檯開展瞭單刀雙擲開關芯片的設計與研製.討論瞭PHEMT開關建模的重要性,解決瞭建模中的關鍵問題,包括開關的設計、測試繫統的校準、模型參數的提取,建立瞭毫米波範圍內高精度的等效電路模型.單刀雙擲開關的設計採用瞭併聯式反射型電路拓撲,開關的測試採用瞭微波探針在片測試繫統,在18～30 GHz穫得瞭優異的電性能,插入損耗IL≤1.5 dB,輸入/輸齣駐波比VSWR≤1.5:1,關斷狀態下的隔離度ISO≥30 dB,芯片呎吋為1.2 m/mm×1.8 mm×0.1 mm.
이0.25μm GaAs PHEMT위기출,개소료미파단편집성전로개관모형적설계、측시급건모과정,병이차평태개전료단도쌍척개관심편적설계여연제.토론료PHEMT개관건모적중요성,해결료건모중적관건문제,포괄개관적설계、측시계통적교준、모형삼수적제취,건립료호미파범위내고정도적등효전로모형.단도쌍척개관적설계채용료병련식반사형전로탁복,개관적측시채용료미파탐침재편측시계통,재18～30 GHz획득료우이적전성능,삽입손모IL≤1.5 dB,수입/수출주파비VSWR≤1.5:1,관단상태하적격리도ISO≥30 dB,심편척촌위1.2 m/mm×1.8 mm×0.1 mm.
