InxGa1-xAs/GaAs量子阱应变量对变温光致发光谱的影响
InxGa1-xAs/GaAs양자정응변량대변온광치발광보적영향
Strain Effect on Temperature Dependent Photoluminescence from InxGa1-xAs/GaAs Quantum Wells
  • 万方数据
    发光学报 발광학보
    CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
    2011年 2期 164-168 ,共5页

    叶志成%舒永春%曹雪%龚亮%姚江宏%皮彪%邢晓东%许京军

    협지성%서영춘%조설%공량%요강굉%피표%형효동%허경군

    分子束外延%InGaAs/GaAs%应变量子阱%变温光致发光 分子束外延%InGaAs/GaAs%應變量子阱%變溫光緻髮光
    분자속외연%InGaAs/GaAs%응변양자정%변온광치발광
    利用变温光致发光(PL)研究了In0.182Ga0.818As/GaAs应变及应变补偿量子阱在77～300 K温度范围内的发光特性.随着温度T的升高,PL峰位向低能方向移动.在应力作用下In0.182Ga0.818As/GaAs量子阱的价带顶轻空穴带和重空穴带发生了劈裂.通过理论计算推导应变随温度变化对InxGa1-xAs/GaAs量子阱带隙能量的影响.在Varshni公式基础上,引入由应力导致的带隙能量变化项△Eg.带隙能量计算结果与实验数据吻合较好.通过不同温度下光致发光半峰全宽的变化验证了应力随温度变化对量子阱发光峰的影响.
    이용변온광치발광(PL)연구료In0.182Ga0.818As/GaAs응변급응변보상양자정재77～300 K온도범위내적발광특성.수착온도T적승고,PL봉위향저능방향이동.재응력작용하In0.182Ga0.818As/GaAs양자정적개대정경공혈대화중공혈대발생료벽렬.통과이론계산추도응변수온도변화대InxGa1-xAs/GaAs양자정대극능량적영향.재Varshni공식기출상,인입유응력도치적대극능량변화항△Eg.대극능량계산결과여실험수거문합교호.통과불동온도하광치발광반봉전관적변화험증료응력수온도변화대양자정발광봉적영향.
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