半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
5期
348-351
,共4页
李琦%王卫东%张杨%张法碧
李琦%王衛東%張楊%張法碧
리기%왕위동%장양%장법벽
表面注入%双重降低表面电场%模型%击穿电压%导通电阻
錶麵註入%雙重降低錶麵電場%模型%擊穿電壓%導通電阻
표면주입%쌍중강저표면전장%모형%격천전압%도통전조
建立表面注入双重降低表面电场(D-RESURF)结构击穿电压模型.D-RESURF器件在衬底纵向电场和Pb区附加电场的影响下,漂移区电荷共享效应增强,优化漂移区掺杂浓度增大.器件导通电阻降低.分析漂移区浓度和厚度对击穿电压的影响,获得改善击穿电压和导通电阻折中关系的途径.在满足最优表面电场和完全耗尽条件下,导出吻合较好的二维RESURF判据.在理论的指导下,成功研制出900 V的D-RESURF高压器件.
建立錶麵註入雙重降低錶麵電場(D-RESURF)結構擊穿電壓模型.D-RESURF器件在襯底縱嚮電場和Pb區附加電場的影響下,漂移區電荷共享效應增彊,優化漂移區摻雜濃度增大.器件導通電阻降低.分析漂移區濃度和厚度對擊穿電壓的影響,穫得改善擊穿電壓和導通電阻摺中關繫的途徑.在滿足最優錶麵電場和完全耗儘條件下,導齣吻閤較好的二維RESURF判據.在理論的指導下,成功研製齣900 V的D-RESURF高壓器件.
건립표면주입쌍중강저표면전장(D-RESURF)결구격천전압모형.D-RESURF기건재츤저종향전장화Pb구부가전장적영향하,표이구전하공향효응증강,우화표이구참잡농도증대.기건도통전조강저.분석표이구농도화후도대격천전압적영향,획득개선격천전압화도통전조절중관계적도경.재만족최우표면전장화완전모진조건하,도출문합교호적이유RESURF판거.재이론적지도하,성공연제출900 V적D-RESURF고압기건.
