物理
物理
물리
2001年
7期
413-419
,共7页
氮化镓%GaN%宽禁带半导体
氮化鎵%GaN%寬禁帶半導體
담화가%GaN%관금대반도체
GaN基氮化物材料已成功地用于制备蓝、绿、紫外光发光器件,日光盲紫外探测器以及高温、大功率微波电子器件.由于该材料具有大的禁带宽度、高的压电和热电系数,它们还有很强的其他应用潜力,诸如做非挥发存储器以及利用压电和热电效应的电子器件等.在20世纪80年代末和90年代初,在GaN基氮化物材料的生长工艺上的突破引发了90年代GaN基器件,特别是光电子和高温、大功率微波器件方面的迅猛发展.文章评述了GaN基氮化物的材料特性、生长技术和相关器件应用.
GaN基氮化物材料已成功地用于製備藍、綠、紫外光髮光器件,日光盲紫外探測器以及高溫、大功率微波電子器件.由于該材料具有大的禁帶寬度、高的壓電和熱電繫數,它們還有很彊的其他應用潛力,諸如做非揮髮存儲器以及利用壓電和熱電效應的電子器件等.在20世紀80年代末和90年代初,在GaN基氮化物材料的生長工藝上的突破引髮瞭90年代GaN基器件,特彆是光電子和高溫、大功率微波器件方麵的迅猛髮展.文章評述瞭GaN基氮化物的材料特性、生長技術和相關器件應用.
GaN기담화물재료이성공지용우제비람、록、자외광발광기건,일광맹자외탐측기이급고온、대공솔미파전자기건.유우해재료구유대적금대관도、고적압전화열전계수,타문환유흔강적기타응용잠력,제여주비휘발존저기이급이용압전화열전효응적전자기건등.재20세기80년대말화90년대초,재GaN기담화물재료적생장공예상적돌파인발료90년대GaN기기건,특별시광전자화고온、대공솔미파기건방면적신맹발전.문장평술료GaN기담화물적재료특성、생장기술화상관기건응용.
