微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
2期
211-214
,共4页
功率器件%绝缘栅双极晶体管%槽栅%全自对准工艺%硅化物
功率器件%絕緣柵雙極晶體管%槽柵%全自對準工藝%硅化物
공솔기건%절연책쌍겁정체관%조책%전자대준공예%규화물
设计了一种全自对准槽栅IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构,其工艺简单,全套工艺只有两张光刻版,提高了工艺成品率.它独特的IGBT沟道多重短路结构,有效地防止了器件闩锁;采用氧化层硬掩膜和硅化物工艺,实现了全自对准的多晶硅反刻和金属连接,增加了IGBT芯片单位面积的元胞密度和沟道宽度,提高了器件的电流能力;用砷(As)掺杂代替磷(P)掺杂,有效地提高了源区表面浓度,实现了浅结工艺.
設計瞭一種全自對準槽柵IGBT(絕緣柵雙極晶體管)結構,其工藝簡單,全套工藝隻有兩張光刻版,提高瞭工藝成品率.它獨特的IGBT溝道多重短路結構,有效地防止瞭器件閂鎖;採用氧化層硬掩膜和硅化物工藝,實現瞭全自對準的多晶硅反刻和金屬連接,增加瞭IGBT芯片單位麵積的元胞密度和溝道寬度,提高瞭器件的電流能力;用砷(As)摻雜代替燐(P)摻雜,有效地提高瞭源區錶麵濃度,實現瞭淺結工藝.
설계료일충전자대준조책IGBT(절연책쌍겁정체관)결구,기공예간단,전투공예지유량장광각판,제고료공예성품솔.타독특적IGBT구도다중단로결구,유효지방지료기건산쇄;채용양화층경엄막화규화물공예,실현료전자대준적다정규반각화금속련접,증가료IGBT심편단위면적적원포밀도화구도관도,제고료기건적전류능력;용신(As)참잡대체린(P)참잡,유효지제고료원구표면농도,실현료천결공예.
