微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
2期
160-163
,共4页
陈壮梁%罗小蓉%邓小川%周春华%黄何%张波%李肇基
陳壯樑%囉小蓉%鄧小川%週春華%黃何%張波%李肇基
진장량%라소용%산소천%주춘화%황하%장파%리조기
4H-SiC MESFET%表面陷阱%直流特性%栅延迟
4H-SiC MESFET%錶麵陷阱%直流特性%柵延遲
4H-SiC MESFET%표면함정%직류특성%책연지
借助ISE TCAD,对4H-SiC MESFET进行二维数值模拟,研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响.数值模拟表明,在直流特性上,由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层,器件饱和电流下降,输出电阻增加,夹断电压向右偏移,跨导降低;在瞬态特性上,表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现.能级靠近价带、密度较高时,表面陷阱效应越明显.
藉助ISE TCAD,對4H-SiC MESFET進行二維數值模擬,研究分析瞭錶麵陷阱對直流和瞬態特性的影響.數值模擬錶明,在直流特性上,由于錶麵陷阱電荷引入附加耗儘層,器件飽和電流下降,輸齣電阻增加,夾斷電壓嚮右偏移,跨導降低;在瞬態特性上,錶麵陷阱電荷的緩慢變化引起瞭柵延遲的齣現.能級靠近價帶、密度較高時,錶麵陷阱效應越明顯.
차조ISE TCAD,대4H-SiC MESFET진행이유수치모의,연구분석료표면함정대직류화순태특성적영향.수치모의표명,재직류특성상,유우표면함정전하인입부가모진층,기건포화전류하강,수출전조증가,협단전압향우편이,과도강저;재순태특성상,표면함정전하적완만변화인기료책연지적출현.능급고근개대、밀도교고시,표면함정효응월명현.
