半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
8期
1226-1231
,共6页
SiGe%应变%位错%分子束外延
SiGe%應變%位錯%分子束外延
SiGe%응변%위착%분자속외연
报道了在Si衬底上微米尺寸的介质膜窗口中,采用分子束外延技术共度生长的Si0.8Ge0.2薄膜的应变及其退火特性. 实验表明,微区生长材料的这些特性,与同一衬底上无边界约束条件下生长的材料相比,有明显的不同.微米尺寸窗口中生长的SiGe/Si材料的应变与窗口尺寸有关,也和窗口的掩膜中的内应力有关.实验还表明,边缘效应对于微区中共度生长的SiGe/Si材料的热稳定性也有显著的影响.在3μm×3μm窗口中共度生长的Si0.8Ge0.2/Si异质结构材料,在950℃高温退火30min后,它的应变弛豫不大于4%.远小于同一衬底上非微区生长材料的应变弛豫.文章还对微区生长材料的这些特性成因进行了探讨.
報道瞭在Si襯底上微米呎吋的介質膜窗口中,採用分子束外延技術共度生長的Si0.8Ge0.2薄膜的應變及其退火特性. 實驗錶明,微區生長材料的這些特性,與同一襯底上無邊界約束條件下生長的材料相比,有明顯的不同.微米呎吋窗口中生長的SiGe/Si材料的應變與窗口呎吋有關,也和窗口的掩膜中的內應力有關.實驗還錶明,邊緣效應對于微區中共度生長的SiGe/Si材料的熱穩定性也有顯著的影響.在3μm×3μm窗口中共度生長的Si0.8Ge0.2/Si異質結構材料,在950℃高溫退火30min後,它的應變弛豫不大于4%.遠小于同一襯底上非微區生長材料的應變弛豫.文章還對微區生長材料的這些特性成因進行瞭探討.
보도료재Si츤저상미미척촌적개질막창구중,채용분자속외연기술공도생장적Si0.8Ge0.2박막적응변급기퇴화특성. 실험표명,미구생장재료적저사특성,여동일츤저상무변계약속조건하생장적재료상비,유명현적불동.미미척촌창구중생장적SiGe/Si재료적응변여창구척촌유관,야화창구적엄막중적내응력유관.실험환표명,변연효응대우미구중공도생장적SiGe/Si재료적열은정성야유현저적영향.재3μm×3μm창구중공도생장적Si0.8Ge0.2/Si이질결구재료,재950℃고온퇴화30min후,타적응변이예불대우4%.원소우동일츤저상비미구생장재료적응변이예.문장환대미구생장재료적저사특성성인진행료탐토.
