光学学报
光學學報
광학학보
ACTA OPTICA SINICA
2007年
7期
1327-1332
,共6页
谭天亚%黄建兵%占美琼%邵建达%范正修%吴炜%郭永新
譚天亞%黃建兵%佔美瓊%邵建達%範正脩%吳煒%郭永新
담천아%황건병%점미경%소건체%범정수%오위%곽영신
薄膜光学%三倍频增透膜%矢量法%三硼酸锂晶体%误差分析
薄膜光學%三倍頻增透膜%矢量法%三硼痠鋰晶體%誤差分析
박막광학%삼배빈증투막%시량법%삼붕산리정체%오차분석
采用矢量法设计了三硼酸锂晶体上1064 nm、532 nm和355 nm三倍频增透膜,结果表明1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别为0.0017%、0.0002%和0.0013%.根据误差分析,薄膜制备时沉积速率精度控制在+5.5%时,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.20%、0.84%和1.89%.当材料折射率的变化控制在+3%时,1064 nm处的剩余反射率增大为0.20%,532 nm和355 nm处分别达0.88%和0.24%.与薄膜物理厚度相比,膜层折射率对剩余反射率的影响大.对膜系敏感层的分析表明,在1064 nm和355 nm波长,从入射介质向基底过渡的第二层膜的厚度变化对剩余反射率的影响最大,其次是第一膜层.在532 nm波长,第一和第三膜层是该膜系的敏感层.同时发现,由于薄膜材料的色散,1064 nm、532 nm和355 nm波长的剩余反射率分别增加至0.15%、0.31%和1.52%.
採用矢量法設計瞭三硼痠鋰晶體上1064 nm、532 nm和355 nm三倍頻增透膜,結果錶明1064 nm、532 nm和355 nm波長的剩餘反射率分彆為0.0017%、0.0002%和0.0013%.根據誤差分析,薄膜製備時沉積速率精度控製在+5.5%時,1064 nm、532 nm和355 nm波長的剩餘反射率分彆增加至0.20%、0.84%和1.89%.噹材料摺射率的變化控製在+3%時,1064 nm處的剩餘反射率增大為0.20%,532 nm和355 nm處分彆達0.88%和0.24%.與薄膜物理厚度相比,膜層摺射率對剩餘反射率的影響大.對膜繫敏感層的分析錶明,在1064 nm和355 nm波長,從入射介質嚮基底過渡的第二層膜的厚度變化對剩餘反射率的影響最大,其次是第一膜層.在532 nm波長,第一和第三膜層是該膜繫的敏感層.同時髮現,由于薄膜材料的色散,1064 nm、532 nm和355 nm波長的剩餘反射率分彆增加至0.15%、0.31%和1.52%.
채용시량법설계료삼붕산리정체상1064 nm、532 nm화355 nm삼배빈증투막,결과표명1064 nm、532 nm화355 nm파장적잉여반사솔분별위0.0017%、0.0002%화0.0013%.근거오차분석,박막제비시침적속솔정도공제재+5.5%시,1064 nm、532 nm화355 nm파장적잉여반사솔분별증가지0.20%、0.84%화1.89%.당재료절사솔적변화공제재+3%시,1064 nm처적잉여반사솔증대위0.20%,532 nm화355 nm처분별체0.88%화0.24%.여박막물리후도상비,막층절사솔대잉여반사솔적영향대.대막계민감층적분석표명,재1064 nm화355 nm파장,종입사개질향기저과도적제이층막적후도변화대잉여반사솔적영향최대,기차시제일막층.재532 nm파장,제일화제삼막층시해막계적민감층.동시발현,유우박막재료적색산,1064 nm、532 nm화355 nm파장적잉여반사솔분별증가지0.15%、0.31%화1.52%.
