功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2008年
1期
12-15
,共4页
娄艳辉%王照奎%林揆训%林璇英
婁豔輝%王照奎%林揆訓%林璇英
루염휘%왕조규%림규훈%림선영
氢稀释%纳米硅薄膜%SiCln(n=0～2)基团
氫稀釋%納米硅薄膜%SiCln(n=0～2)基糰
경희석%납미규박막%SiCln(n=0～2)기단
用质谱、朗缪尔探针诊断技术研究了氢稀释的SiCl4作为源气体,用等离子体增强化学气相方法进行纳米晶硅薄膜的生长.进一步研究了氢稀释比率对SiCl4等离子体中SiCln(n=0～2)基团浓度的影响.等离子体中,平均电子能量和电子密度分别随着氢稀释比率的增加而达到9.25eV和3.7×109cm-3.结果发现,在0.4～0.67范围的氢稀释比率对于形成SiCln(n=0～2)基团很有利.在这个范围,平均电子能量和电子密度都有较大的值.生成较多的SiCln(n=0～2)基团将有利于提高薄膜沉积速率和薄膜质量.
用質譜、朗繆爾探針診斷技術研究瞭氫稀釋的SiCl4作為源氣體,用等離子體增彊化學氣相方法進行納米晶硅薄膜的生長.進一步研究瞭氫稀釋比率對SiCl4等離子體中SiCln(n=0～2)基糰濃度的影響.等離子體中,平均電子能量和電子密度分彆隨著氫稀釋比率的增加而達到9.25eV和3.7×109cm-3.結果髮現,在0.4～0.67範圍的氫稀釋比率對于形成SiCln(n=0～2)基糰很有利.在這箇範圍,平均電子能量和電子密度都有較大的值.生成較多的SiCln(n=0～2)基糰將有利于提高薄膜沉積速率和薄膜質量.
용질보、랑무이탐침진단기술연구료경희석적SiCl4작위원기체,용등리자체증강화학기상방법진행납미정규박막적생장.진일보연구료경희석비솔대SiCl4등리자체중SiCln(n=0～2)기단농도적영향.등리자체중,평균전자능량화전자밀도분별수착경희석비솔적증가이체도9.25eV화3.7×109cm-3.결과발현,재0.4～0.67범위적경희석비솔대우형성SiCln(n=0～2)기단흔유리.재저개범위,평균전자능량화전자밀도도유교대적치.생성교다적SiCln(n=0～2)기단장유리우제고박막침적속솔화박막질량.
