中国激光
中國激光
중국격광
CHINESE JOURNAL OF LASERS
2009年
2期
449-452
,共4页
江东%胡晓云%苗仲海%王永强%潘静%刘国敬
江東%鬍曉雲%苗仲海%王永彊%潘靜%劉國敬
강동%호효운%묘중해%왕영강%반정%류국경
材料%发光特性%溶胶凝胶法%稀土%SiO2
材料%髮光特性%溶膠凝膠法%稀土%SiO2
재료%발광특성%용효응효법%희토%SiO2
采用溶胶凝胶法(sol-gel)制备了Eu3+掺杂SiO2基质发光材料,分别用荧光(PL)光谱、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征,研究了退火温度以及掺杂浓度对发射光谱的影响,并对其发光机制进行了分析.薄膜样品在258 nm光激发下,在620 nm,667 nm处出现了比较少见的双峰红光发射,而620 nm处的光发射最强,说明Eu3+离子处在对称性较低的配位环境中.退火处理温度对样品的发射光谱影响很大,经900 ℃退火处理的样品发射强度最强.随着掺杂浓度的变化,改变了Eu3+ -O2-间的距离,在相同紫外光激发下O2-外层的电子迁移到Eu3+ 4f轨道上的能量变化,使得谱线位置出现了移动.
採用溶膠凝膠法(sol-gel)製備瞭Eu3+摻雜SiO2基質髮光材料,分彆用熒光(PL)光譜、原子力顯微鏡(AFM)、掃描電鏡(SEM)等分析手段對樣品進行瞭錶徵,研究瞭退火溫度以及摻雜濃度對髮射光譜的影響,併對其髮光機製進行瞭分析.薄膜樣品在258 nm光激髮下,在620 nm,667 nm處齣現瞭比較少見的雙峰紅光髮射,而620 nm處的光髮射最彊,說明Eu3+離子處在對稱性較低的配位環境中.退火處理溫度對樣品的髮射光譜影響很大,經900 ℃退火處理的樣品髮射彊度最彊.隨著摻雜濃度的變化,改變瞭Eu3+ -O2-間的距離,在相同紫外光激髮下O2-外層的電子遷移到Eu3+ 4f軌道上的能量變化,使得譜線位置齣現瞭移動.
채용용효응효법(sol-gel)제비료Eu3+참잡SiO2기질발광재료,분별용형광(PL)광보、원자력현미경(AFM)、소묘전경(SEM)등분석수단대양품진행료표정,연구료퇴화온도이급참잡농도대발사광보적영향,병대기발광궤제진행료분석.박막양품재258 nm광격발하,재620 nm,667 nm처출현료비교소견적쌍봉홍광발사,이620 nm처적광발사최강,설명Eu3+리자처재대칭성교저적배위배경중.퇴화처리온도대양품적발사광보영향흔대,경900 ℃퇴화처리적양품발사강도최강.수착참잡농도적변화,개변료Eu3+ -O2-간적거리,재상동자외광격발하O2-외층적전자천이도Eu3+ 4f궤도상적능량변화,사득보선위치출현료이동.
