半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2009年
4期
324-327
,共4页
高朝阳%周旗钢%戴小林%崔彬%韩海建
高朝暘%週旂鋼%戴小林%崔彬%韓海建
고조양%주기강%대소림%최빈%한해건
外延%重掺硼硅衬底%熟致微缺陷%层错
外延%重摻硼硅襯底%熟緻微缺陷%層錯
외연%중참붕규츤저%숙치미결함%층착
研究了重掺B对300 mm直拉Si衬底中热致微缺陷的影响.通过800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高两步退火处理发现,与普通(CZ)Si片相比,重掺B(HBCZ)Si片体内生成了高密度的热致微缺陷--体微缺陷(BMDs);B浓度的不同对BMDs的形态也有重要影响,重掺B Si片中出现杆状层错,随着B浓度的增加,层错密度增加,尺寸减小.研究表明,重掺B对BMDs的促进作用主要归功于B原子促进了氧沉淀的异质形核并由于原子半径效应使得这些核心较容易长大,而晶体中初始氧含量不是重掺B促进氧沉淀的主要因素.
研究瞭重摻B對300 mm直拉Si襯底中熱緻微缺陷的影響.通過800℃/4～16 h+1 100℃/16 h的低-高兩步退火處理髮現,與普通(CZ)Si片相比,重摻B(HBCZ)Si片體內生成瞭高密度的熱緻微缺陷--體微缺陷(BMDs);B濃度的不同對BMDs的形態也有重要影響,重摻B Si片中齣現桿狀層錯,隨著B濃度的增加,層錯密度增加,呎吋減小.研究錶明,重摻B對BMDs的促進作用主要歸功于B原子促進瞭氧沉澱的異質形覈併由于原子半徑效應使得這些覈心較容易長大,而晶體中初始氧含量不是重摻B促進氧沉澱的主要因素.
연구료중참B대300 mm직랍Si츤저중열치미결함적영향.통과800℃/4～16 h+1 100℃/16 h적저-고량보퇴화처리발현,여보통(CZ)Si편상비,중참B(HBCZ)Si편체내생성료고밀도적열치미결함--체미결함(BMDs);B농도적불동대BMDs적형태야유중요영향,중참B Si편중출현간상층착,수착B농도적증가,층착밀도증가,척촌감소.연구표명,중참B대BMDs적촉진작용주요귀공우B원자촉진료양침정적이질형핵병유우원자반경효응사득저사핵심교용역장대,이정체중초시양함량불시중참B촉진양침정적주요인소.
