微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
6期
362-366
,共5页
惠瑜%高超群%王磊%景玉鹏%陈大鹏
惠瑜%高超群%王磊%景玉鵬%陳大鵬
혜유%고초군%왕뢰%경옥붕%진대붕
射频MEMS开关%MEMS%电磁驱动%推拉式%单晶硅梁%隔离度
射頻MEMS開關%MEMS%電磁驅動%推拉式%單晶硅樑%隔離度
사빈MEMS개관%MEMS%전자구동%추랍식%단정규량%격리도
提出了一种新型电磁驱动推拉式射频MEMS开关.针对传统静电驱动单臂梁开关所需驱动电压大、恢复力不足等问题,设计了一种推拉式开关结构,降低了驱动电压(电流),提高了开关的隔离度,同时实现了单刀双掷的功能.单晶Si梁由于自身无应力,解决了悬臂梁残余应力引起的梁变形问题.通过理论计算和有限元分析,优化了开关设计尺寸,在外围永磁铁磁感应梯度dB/dz=100 T/m,在线圈通入100 mA电流的驱动下,单晶Si扭转梁末端可以获得约10 μm的弯曲量,满足开关驱动要求.给出了开关的详细微细加工流程,对开关的传输参数进行了测试,在10 GHz时隔离度为-40 dB.
提齣瞭一種新型電磁驅動推拉式射頻MEMS開關.針對傳統靜電驅動單臂樑開關所需驅動電壓大、恢複力不足等問題,設計瞭一種推拉式開關結構,降低瞭驅動電壓(電流),提高瞭開關的隔離度,同時實現瞭單刀雙擲的功能.單晶Si樑由于自身無應力,解決瞭懸臂樑殘餘應力引起的樑變形問題.通過理論計算和有限元分析,優化瞭開關設計呎吋,在外圍永磁鐵磁感應梯度dB/dz=100 T/m,在線圈通入100 mA電流的驅動下,單晶Si扭轉樑末耑可以穫得約10 μm的彎麯量,滿足開關驅動要求.給齣瞭開關的詳細微細加工流程,對開關的傳輸參數進行瞭測試,在10 GHz時隔離度為-40 dB.
제출료일충신형전자구동추랍식사빈MEMS개관.침대전통정전구동단비량개관소수구동전압대、회복력불족등문제,설계료일충추랍식개관결구,강저료구동전압(전류),제고료개관적격리도,동시실현료단도쌍척적공능.단정Si량유우자신무응력,해결료현비량잔여응력인기적량변형문제.통과이론계산화유한원분석,우화료개관설계척촌,재외위영자철자감응제도dB/dz=100 T/m,재선권통입100 mA전류적구동하,단정Si뉴전량말단가이획득약10 μm적만곡량,만족개관구동요구.급출료개관적상세미세가공류정,대개관적전수삼수진행료측시,재10 GHz시격리도위-40 dB.
