高温超导及GaN衬底材料(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体的生长
고온초도급GaN츤저재료(La,Sr)(Al,Ta)O3정체적생장
Growth of (La,Sr)(Al,Ta)O3 Single Crystal as Substrates for High-Tc Superconductors and GaN Epitaxial Growth
  • 万方数据
    人工晶体学报 인공정체학보

    2002年 3期 318-320 ,共3页

    陶德节%闫如顺%刘福云%郭行安%徐小冬%江小平%胡欢陵

    도덕절%염여순%류복운%곽행안%서소동%강소평%호환릉

    超导%GaN%衬底%LSAT晶体%生长 超導%GaN%襯底%LSAT晶體%生長
    초도%GaN%츤저%LSAT정체%생장
    用提拉法生长了高质量、大尺寸、具有混合钙钛矿结构的(La,Sr)(Al,Ta)O3晶体(LSAT),晶体尺寸达55mm×50mm.讨论了晶体生长有关工艺,并对晶体的完整性进行了初步研究.
    용제랍법생장료고질량、대척촌、구유혼합개태광결구적(La,Sr)(Al,Ta)O3정체(LSAT),정체척촌체55mm×50mm.토론료정체생장유관공예,병대정체적완정성진행료초보연구.
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