物理学报
物理學報
물이학보
2004年
11期
3863-3867
,共5页
分数维空间方法%椭偏技术%表面氧化层效应%临界点跃迁
分數維空間方法%橢偏技術%錶麵氧化層效應%臨界點躍遷
분수유공간방법%타편기술%표면양화층효응%림계점약천
运用椭偏技术和分数维空间方法,对Si-SiO2模型考察了表面氧化层的存在对从实验测得的光谱中确定Si临界点跃迁参数的影响.计算结果表明,表面氧化层效应使Si的介电谱发生畸变,由此得到的临界点跃迁参数较真值会有一个偏移:振幅与维度值较小,寿命线宽较大,并且这种影响随氧化层厚度的增加而加强.但禁带能受表面氧化层效应的影响却很小,可忽略不计.
運用橢偏技術和分數維空間方法,對Si-SiO2模型攷察瞭錶麵氧化層的存在對從實驗測得的光譜中確定Si臨界點躍遷參數的影響.計算結果錶明,錶麵氧化層效應使Si的介電譜髮生畸變,由此得到的臨界點躍遷參數較真值會有一箇偏移:振幅與維度值較小,壽命線寬較大,併且這種影響隨氧化層厚度的增加而加彊.但禁帶能受錶麵氧化層效應的影響卻很小,可忽略不計.
운용타편기술화분수유공간방법,대Si-SiO2모형고찰료표면양화층적존재대종실험측득적광보중학정Si림계점약천삼수적영향.계산결과표명,표면양화층효응사Si적개전보발생기변,유차득도적림계점약천삼수교진치회유일개편이:진폭여유도치교소,수명선관교대,병차저충영향수양화층후도적증가이가강.단금대능수표면양화층효응적영향각흔소,가홀략불계.
