物理
物理
물리
2004年
12期
878-881
,共4页
碳纳米管%单空位缺陷%紧束缚势模型
碳納米管%單空位缺陷%緊束縳勢模型
탄납미관%단공위결함%긴속박세모형
文章在紧束缚势模型基础上系统地研究了非手性单壁碳纳米管上单原子空位缺陷结构和电子结构性质.计算表明,单原子空位缺陷会自发地形成5-1DB型缺陷, 且该缺陷的局域结构和形成能强烈地依赖于碳纳米管的尺寸、旋度和电学性质.同时作者发现这类缺陷在费米能级以上约0.2eV处产生局域的电子态.
文章在緊束縳勢模型基礎上繫統地研究瞭非手性單壁碳納米管上單原子空位缺陷結構和電子結構性質.計算錶明,單原子空位缺陷會自髮地形成5-1DB型缺陷, 且該缺陷的跼域結構和形成能彊烈地依賴于碳納米管的呎吋、鏇度和電學性質.同時作者髮現這類缺陷在費米能級以上約0.2eV處產生跼域的電子態.
문장재긴속박세모형기출상계통지연구료비수성단벽탄납미관상단원자공위결함결구화전자결구성질.계산표명,단원자공위결함회자발지형성5-1DB형결함, 차해결함적국역결구화형성능강렬지의뢰우탄납미관적척촌、선도화전학성질.동시작자발현저류결함재비미능급이상약0.2eV처산생국역적전자태.